Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUM90100E-GE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUM90100E
SUM90100E-GE3 Hakkında
SUM90100E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 150A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 11.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektoniği sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3930 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok