Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUM80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUM80090E
SUM80090E-GE3 Hakkında
Vishay SUM80090E-GE3, 150V drain-source geriliminde 128A sürekli drenaj akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistördür. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile tasarlanmış bu bileşen, 10V gate geriliminde 9mOhm maksimum on-state direncine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen SUM80090E, 375W güç tüketebilme kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Gate yükü 95nC ve 3425pF input kapasitanası ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Endüstriyel kontrolcüler, güç dönüştürücüler, motor sürücüleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 128A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3425 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok