Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM70090E-GE3

MOSFET N-CH 100V 50A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM70090E

SUM70090E-GE3 Hakkında

Vishay SUM70090E-GE3, 100V drain-source gerilimi ile 50A sürekli dren akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bu bileşen, düşük 8.9mOhm on-state direnci ile güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, 125W maksimum güç disipasyonu ve 4V threshold gerilimi ile standart anahtarlama uygulamaları için uygun bir seçimdir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok