Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM70060E-GE3

MOSFET N-CH 100V 131A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM70060E

SUM70060E-GE3 Hakkında

Vishay SUM70060E-GE3, N-kanal MOSFET transistörü olup, 100V drain-source gerilimi ve 131A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bu transistör, 5.6mΩ maksimum on-direnci ve 81nC gate charge karakteristiğine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 175°C) ve 375W güç dağıtım yeteneği ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 131A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3330 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok