Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUM70030M-GE3
MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUM70030M
SUM70030M-GE3 Hakkında
SUM70030M-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 150A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-7 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (3.5mΩ @ 30A, 10V) ile verimli güç iletimi sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) kararlı performans gösterir. Anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Hızlı switchingyeteneği ve düşük geçiş kayıpları sayesinde verimli devre tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 214 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10870 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263-7 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok