Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM70030E-GE3

MOSFET N-CH 100V 150A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM70030E

SUM70030E-GE3 Hakkında

SUM70030E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilim ve 150A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-dirençi (2.88mΩ @ 30A, 10V) sayesinde ısı kaybını azaltır ve verimli çalışır. Anahtarlama hızı, Gate yükü (214nC) ve giriş kapasitanası (10870pF) kontrol edilen uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 214 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10870 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.88mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok