Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM65N20-30-E3

MOSFET N-CH 200V 65A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM65N20-30

SUM65N20-30-E3 Hakkında

Vishay SUM65N20-30-E3, 200V drain-source geriliminde 65A sürekli dren akımı sağlayan N-Channel MOSFET transistördür. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kayıpları sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, elektrik traktörleri, endüstriyel invertörler ve solar panel sistemlerinde kullanılır. 130nC gate charge ve 5100pF input capacitance ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok