Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUM50010E-GE3
MOSFET N-CH 60V 150A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUM50010E
SUM50010E-GE3 Hakkında
SUM50010E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 150A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 1.75mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, enerji dönüştürme ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. 375W maksimum güç saçılımı ve 212nC gate charge özelliğiyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 150A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 212 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10895 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok