Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM40010EL-GE3

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM40010EL

SUM40010EL-GE3 Hakkında

SUM40010EL-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. 1.6mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. 375W maksimum güç dağılımı kapasitesi sayesinde yüksek güçlü endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11155 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok