Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM120N04-1M7L-GE3

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM120N04

SUM120N04-1M7L-GE3 Hakkında

SUM120N04-1M7L-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 120A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 17mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11685 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok