Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUM110P08-11-E3
MOSFET P-CH 80V 110A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUM110P08-11
SUM110P08-11-E3 Hakkında
SUM110P08-11-E3, Vishay tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 110A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 11.1mOhm düşük açık direnç değeri ile enerji verimliliği sağlar. TO-263 D²Pak yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında uygulanır. 10V kontrol gerilimi ile sürülür ve 280nC gate charge değerine sahiptir. Ürün üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11500 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 13.6W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok