Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUM110N10-09-E3
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUM110N10
SUM110N10-09-E3 Hakkında
SUM110N10-09-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 110A sürekli dren akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüleri ve ağır yük anahtarlama devrelerinde kullanılır. 9.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük on-state direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 3.75W (Ta) ile 375W (Tc) güç dağılımı kapasitesine sahiptir. ±20V gate-source gerilimi aralığında çalışan bileşen, 160nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok