Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM110N06-3M9H-E3

MOSFET N-CH 60V 110A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM110N06

SUM110N06-3M9H-E3 Hakkında

Vishay SUM110N06-3M9H-E3, 60V drain-source gerilimi ile çalışabilen N-Channel MOSFET transistördür. 110A sürekli drain akımı kapasitesi ve 3.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç uygulamalarında düşük kayıp sağlar. Gate charge değeri 300nC olup, hızlı anahtarlama için uygun karakteristiklere sahiptir. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor kontrol, güç dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Ürün halen üretilmemektedir (obsolete durum).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok