Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM110N06-3M4L-E3

MOSFET N-CH 60V 110A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM110N06

SUM110N06-3M4L-E3 Hakkında

Vishay SUM110N06-3M4L-E3, 60V drain-source gerilimi ve 110A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 3.4mΩ maksimum Rds(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen komponent, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. Gate charge karakteristiği ve input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir. Dikkat: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12900 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok