Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM110N03-04P-E3

MOSFET N-CH 30V 110A TO263

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM110N03-04P

SUM110N03-04P-E3 Hakkında

SUM110N03-04P-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 110A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) paket tipinde gelen bu komponentin RDS(on) değeri 4.2mΩ'dur (10V, 20A koşullarında). 60nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu MOSFET, sürücü devreleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Düşük on-resistance değeri ile ısıl yönetim avantajı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5100 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok