Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUM10250E-GE3

MOSFET N-CH 250V 63.5A D2PAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
SUM10250E

SUM10250E-GE3 Hakkında

SUM10250E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltajı ve 63.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketiyle kompakt tasarımlar için uygundur. 31mΩ maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük kayıp özelliği gösterir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 88nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 63.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3002 pF @ 125 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok