Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUG90090E-GE3
MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUG90090E
SUG90090E-GE3 Hakkında
SUG90090E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 9.5mΩ tipik on-dirençi (RdsOn) ve düşük gate charge (129nC) karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 129 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5220 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 395W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok