Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUG80050E-GE3
MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUG80050E
SUG80050E-GE3 Hakkında
Vishay SUG80050E-GE3, N-Channel MOSFET transistörü olup 150V drain-source gerilim ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 5.4mOhm düşük on-resistance (Rds) değeri ile yüksek akım uygulamalarında düşük enerji kaybı sağlar. 500W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel motor kontrol, güç kaynağı tasarımı, şarj devresi ve invertör uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 165nC gate charge ve 6250pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6250 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok