Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD90330E-GE3
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD90330E
SUD90330E-GE3 Hakkında
SUD90330E-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 35.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 37.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığında stabilitesi korunur. Endüstriyel kontrol devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1172 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37.5mOhm @ 12.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok