Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD50P10-43L-BE3
MOSFET P-CH 100V 9.2A/37.1A DPAK
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD50P10
SUD50P10-43L-BE3 Hakkında
SUD50P10-43L-BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 9.2A (Ta) / 37.1A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 43mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı paket içinde sunulur. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor sürücülerinde kullanılır. 160nC gate charge ve 4600pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansını destekler. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile esnek kontrol özellikleri sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.2A (Ta), 37.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 8.3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 9.2A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok