Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD50P10-43-E3
MOSFET P-CH 100V 38A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD50P10
SUD50P10-43-E3 Hakkında
SUD50P10-43-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 100V drain-source voltaj derecesine ve 38A sürekli drain akımına sahiptir. 43mΩ @ 10V ile düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji kaybını minimumda tutar. 160nC gate charge ve 5230pF input capacitance özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında hızlı ve verimli çalışır. -50°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunmaktadır. AC/DC güç kaynakları, motor kontrol devreleri, load switching ve ters polarite koruması gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Maximum 8.3W (Ta) güç dissipasyonuna ve ±20V gate-source voltaj toleransına sahiptir. MOSFET teknolojisinin avantajlarından faydalanarak düşük kapı yükü ve hızlı anahtarlama özellikleri sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 38A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5230 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -50°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 8.3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 9.4A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok