Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD50P04-08
SUD50P04-08-GE3 Hakkında
SUD50P04-08-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. 8.1mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 2.5V kapı-kaynak eşik gerilimi, hızlı komütasyon ve entegre devre kontrolü gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 159 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5380 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1mOhm @ 22A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok