Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUD50P04-08-BE3

MOSFET P-CH 40V 50A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SUD50P04-08-BE3

SUD50P04-08-BE3 Hakkında

SUD50P04-08-BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim (Vdss) ile 50A sürekli drain akımı sağlayabilen bu bileşen, düşük on-resistance (RDS(on) = 15mOhm @ 30A, 10V) karakteristiği sayesinde güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Surface mount DPAK paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. Anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve benzer uygulamalarda P-Channel MOSFET olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok