Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUD50N10-34P-T4-E3

MOSFET N-CH 100V 5.9A/20A TO252

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SUD50N10

SUD50N10-34P-T4-E3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SUD50N10-34P-T4-E3, N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj desteği ile güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 5.9A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paket tipi sayesinde kompakt tasarımlara uyum sağlar. 34mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Maksimum 56W güç tüketim kapasitesi (Tc'de) destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A (Ta), 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok