Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD50N10-18P-E3
MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD50N10
SUD50N10-18P-E3 Hakkında
SUD50N10-18P-E3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) kasa tipi ile yüzey montajı destekler. 8.2A sürekli drain akımı (Ta @ 25°C) ve 50A pik drain akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 18.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konverterler ve motor sürücüleri gibi güç yönetimi devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 136.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok