Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD50N06-07L-GE3
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD50N06-07L
SUD50N06-07L-GE3 Hakkında
SUD50N06-07L-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 96A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 7.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve yüksek güç yayılma kapasitesi (136W) ile endüstriyel uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 96A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 144 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok