Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD50N04
SUD50N04-8M8P-4GE3 Hakkında
SUD50N04-8M8P-4GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 40V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 14A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8.8mΩ maksimum kanal direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok