Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUD50N03-16P-GE3

MOSFET N-CH 30V TO252

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SUD50N03

SUD50N03-16P-GE3 Hakkında

Vishay SUD50N03-16P-GE3, 30V drain-source geriliminde çalışan N-channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 15A (Ta 25°C) ve 37A (Tc 25°C) sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 16mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 13nC gate charge ve 1150pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun olması demektir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama devreler, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC konverterler gibi uygulamalarda kullanılır. Not: Bu model üretim dışı (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A (Ta), 37A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1150 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 6.5W (Ta), 40.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok