Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD50N03-12P-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD50N03
SUD50N03-12P-GE3 Hakkında
SUD50N03-12P-GE3, Vishay tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 16.8A sürekli drenaj akımı ile çalışır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 17mΩ RDS(on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimli güç yönetimi sağlar. Kapı yükü 42nC ve eşik gerilimi 3V'dir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronikleri, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve güç yönetim uygulamalarında kullanılır. Maksimum 39W güç dağıtım kapasitesiyle orta güçlü anahtarlama işlemleri için uygun bir çözümdür. Not: Bu parça üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok