Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUD50N03-12P-E3

MOSFET N-CH 30V TO252

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SUD50N03-12P

SUD50N03-12P-E3 Hakkında

SUD50N03-12P-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel enhancement mode MOSFET'tir. 30V drain-source gerilim toleransına sahip bu transistör, 17.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketine yerleştirilen komponent, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve elektronik anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilmektedir. Düşük on-resistance (12mΩ @ 10V) sayesinde enerji kaybı minimalize edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir. Parça kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 6.5W (Ta), 46.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok