Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD50N03-09P-E3
MOSFET N-CH 30V 63A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD50N03
SUD50N03-09P-E3 Hakkında
SUD50N03-09P-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 63A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, düşük 9.5mOhm on-resistance değeri sayesinde ısı kaybını minimize eder. 4.5V/10V sürücü gerilimleri ile geniş uyumluluk sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 63A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 7.5W (Ta), 65.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok