Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD50N02-09P-GE3
MOSFET N-CH 20V 20A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD50N02-09P
SUD50N02-09P-GE3 Hakkında
SUD50N02-09P-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (14mΩ @ 10V, 20A) sayesinde güç kaybını minimize eder. Gate charge değeri 16nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Motor sürücüleri, güç dönüştürücüleri, şarj devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Maximum 39.5W güç dağıtımına dayanıklıdır. Notu: Bu ürün üreticisi tarafından eski sürüm (Obsolete) olarak sınıflandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 39.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok