Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD50N02-09P-E3
MOSFET N-CH 20V TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD50N02-09P
SUD50N02-09P-E3 Hakkında
SUD50N02-09P-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin maksimum drain akımı 20A, drain-source gerilimi 20V ve on-resistance değeri 9.5mΩ (10V, 20A koşullarında) olarak belirtilmiştir. Gate threshold gerilimi 3V (250µA) ile düşük kapı sürüşü gerekliliği olan uygulamalara uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Maksimum güç dağılımı 39.5W (soğutucu sıcaklığında) dir. Ürün şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 6.5W (Ta), 39.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok