Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUD42N03-3M9P-GE3

MOSFET N-CH 30V 42A TO252

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SUD42N03

SUD42N03-3M9P-GE3 Hakkında

SUD42N03-3M9P-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Vdss ile 42A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-direnç değeri (3.9mΩ @ 22A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli çalışır. TO-252 (DPak) paket tipinde sunulan komponentin gate yükü 100nC @ 10V, giriş kapasitesi ise 3535pF @ 15V'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Kütük durumunda (obsolete) olup, ±20V gate gerilimi dayanımına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3535 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 22A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok