Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD35N10-26P-GE3
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD35N10
SUD35N10-26P-GE3 Hakkında
Vishay SUD35N10-26P-GE3, N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ile 35A sürekli drain akımı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında verimli anahtar elemanı olarak görev yapar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok