Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD20N10-66L-GE3
MOSFET N-CH 100V 16.9A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD20N10-66L
SUD20N10-66L-GE3 Hakkında
SUD20N10-66L-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V Drain-Source gerilimi ve 16.9A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 66mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 860 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 41.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 6.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok