Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUD20N10-66L-BE3

MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SUD20N10-66L

SUD20N10-66L-BE3 Hakkında

Vishay SUD20N10-66L-BE3, 100V drain-source voltaj ve 16.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 66mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaybı ve hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. Surface Mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu MOSFET, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlamalı güç kaynakları ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. ±20V maksimum gate voltajı ve 3V threshold voltajı ile genel amaçlı güç anahtarlama uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok