Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD19P06-60-GE3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD19P06-60
SUD19P06-60-GE3 Hakkında
SUD19P06-60-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi, 18.3A sürekli dren akımı ve 60mOhm on-resistance özelliğine sahiptir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu komponentin güç tüketimi 38.5W'a kadar çıkabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Gate charge değeri 40nC olup, 10V sürme geriliminde maksimum RDS(on) 60mOhm'dur. Düşük gate kapasitansı (1710pF) ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1710 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok