Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUD19N20-90-E3

MOSFET N-CH 200V 19A TO252

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SUD19N20-90

SUD19N20-90-E3 Hakkında

Vishay SUD19N20-90-E3, 200V drain-source voltaj ve 19A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilen transistör, -55°C ile 175°C arasında geniş sıcaklık işletme bandı sunar. Güç dönüştürme, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok