Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUD19N20-90-BE3

MOSFET N-CH 200V 19A DPAK

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SUD19N20

SUD19N20-90-BE3 Hakkında

SUD19N20-90-BE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 19A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 90mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ile 175°C arası) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sunar. 10V kapı geriliminde optimize edilmiş RDS(on) değeri hızlı anahtarlama ve verimli güç aktarımı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok