Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD09P10-195-GE3
MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD09P10
SUD09P10-195-GE3 Hakkında
Vishay SUD09P10-195-GE3, 100V drain-source geriliminde çalışan P-Channel MOSFET'tir. 8.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 195mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) paket tipi ile yüzey montaj uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Batarya yönetim sistemleri, güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1055 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok