Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD08P06-155L-T4E3
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD08P06
SUD08P06-155L-T4E3 Hakkında
Vishay SUD08P06-155L-T4E3, P-Channel MOSFET transistörüdür ve 60V drain-source gerilimi ile 8.4A sürekli drain akımı sağlamaktadır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance değeri (155mΩ @ 5A, 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimliliği artırmaktadır. Gate yükü 19nC ve giriş kapasitanı 450pF olup, hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, batarya koruma sistemleri ve SMPS uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V gate gerilimi toleransı ve 10V sürüş geriliminde minimum RDS(on) değeri ile tasarımcılara esneklik sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok