Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD08P06-155L-GE3
MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD08P06
SUD08P06-155L-GE3 Hakkında
SUD08P06-155L-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source voltajı ve 8.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 155mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve yük yönetim sistemlerinde yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok