Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUD06N10-225L-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUD06N10-225L
SUD06N10-225L-GE3 Hakkında
SUD06N10-225L-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim derecelendirilmesi ve 6.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds(on) değeri (200mΩ @ 3A, 10V) sayesinde güç kayıplarını minimize eder. Endüstriyel kontrol devreleri, AC/DC güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlamalı güç tasarımlarında yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında uzun süreli güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 240 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 16.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok