Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SUD06N10-225L-E3

MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
SUD06N10

SUD06N10-225L-E3 Hakkında

SUD06N10-225L-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 6.5A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 4.5V - 10V sürü gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 200mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, aydınlatma uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Düşük kapasitans değerleri (240pF) hızlı anahtarlama işlemlerini destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 240 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok