Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SUB75P03-07-E3
MOSFET P-CH 30V 75A TO263
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SUB75P03-07
SUB75P03-07-E3 Hakkında
Vishay tarafından üretilen SUB75P03-07-E3, 30V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bir P-Channel MOSFET'tir. TO-263 (D²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilme yeteneği ve 240nC gate charge karakteristiği ile güç uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263 paketinin düşük termal direnci, yüksek güç disipasyonu gerektiren uygulamalarda montaj kolaylığı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 240 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-263 (D²Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok