Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STY80NM60N
MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STY80NM60N
STY80NM60N Hakkında
STY80NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 74A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Maksimum 35mOhm on-state direnç (Rds On) ve 10V gate sürücü gerilimi ile verimli anahtarlama sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -25V ile +25V arasında gate gerilimi toleransı vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 74A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10100 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 447W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 37A, 10V |
| Supplier Device Package | MAX247™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok