Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STY60NM60
MOSFET N-CH 600V 60A MAX247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STY60NM60
STY60NM60 Hakkında
STY60NM60, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverterler ve endüstriyel güç elektronik sistemlerinde kullanılır. 55mΩ maksimum drain-source direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. ±30V maksimum gate voltajı ve 150°C çalışma sıcaklığına kadar dayanıklıdır. 266nC gate yükü ve 7300pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 266 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 560W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | MAX247™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok