Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STY112N65M5
MOSFET N-CH 650V 96A MAX247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STY112N65M5
STY112N65M5 Hakkında
STY112N65M5, STMicroelectronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilimi ve 96A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 22mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. 625W güç dağılım kapasitesi ile anahtarlama ve güç dönüştürme devrelerinde, endüstriyel sürücü uygulamalarında ve yüksek voltajlı invertör tasarımlarında yer alır. ±25V maksimum gate-source gerilimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile çeşitli ortamlarda kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 96A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 350 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16870 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 625W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 47A, 10V |
| Supplier Device Package | MAX247™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok