Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
STY100NM60N
MOSFET N CH 600V 98A MAX247
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- STY100NM60N
STY100NM60N Hakkında
STY100NM60N, STMicroelectronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 98A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 29mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 330nC olup, hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 625W güç tüketebilir. Endüstriyel anahtarlama, güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve ağır yük uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 98A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 330 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9600 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 625W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 49A, 10V |
| Supplier Device Package | MAX247™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok